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上图是使用无损吸收的单管正激一次侧(初级)典型电路，现分析其工作机制。

1.元件功能介绍：T1A是励磁线圈，用于产生磁场，传输能量。

T1B是退磁线圈，用于对磁芯进行磁复位，避免磁芯饱和。

Q1： MOSFET，用作功率开关管。

C3：一次侧储能电容。

D1：为退磁电流提供通道，同时为C0提供充电通道。

R1，C1：用于削除分布参数引起的尖峰。

R2：取样电阻。

2.工作原理：1。当Q1导通时，C3上的电压通过T1A和Q1到地形成通路，此时，能量通过磁芯向次级传送，同时，磁芯中的磁感应强度呈线性增长。

2。为了在Q1下次导通前，磁芯中的磁感应强度下降到初始状态，需要对磁芯进行退磁，这个功能是由T1B（和T1A绕在同一磁芯上)，工控电源箱，D1，C3完成的。T1A的“1”端和T1B的“3”端是同名端。由于电磁感应的作用，在Q1截止时，T1B的“4”端相对于“3”端是高电位，于是，退磁电流的通道就是由“4”通过D1，工控电源生产厂，C3，回到T1B的“3”端。此时，实际上是励磁能量回收到C3中。

3。由于各种因素的影响，T1A，T1B一般不会有耦合，因此，T1A相对T1B来说，存在漏电感，即有一部能量，是不能通过退磁电流回收到C3中的。那么这部分能量实际上就是通过C0，D1进行回收的。

4。漏感能量的回收：当Q1截止时，由于电磁感应的作用，T1A感生出“2”正，“1”负的电压，于是这个能量通过D1对C0充电，漏感能量暂存在C0中。

5。当Q1再次导通时，C0又通过Q1和T1B形成回路。实际上，这和C3通过Q1和T1A形成回路产生的效果是一样的，都会把能量向次级传送。

6。通过4，5两个过程，实际上完成了漏感能量的回收和再利用。

一、初级MOS的电压应力

初级MOS的电压应力一般是由三个方面组成:即是三个数值的叠加。

1.母线上电压峰值（一般是初级滤波电容上的电压峰值）；

2.是次级的反射电压（即是MOS截止时由于电磁感应，次级电压折算到初级线圈的电压值）；

3.是由于变压器漏感，在MOS关断时产生的尖峰。

母线上的电压峰值：这个峰值一般是输入电压的峰值，对于220V市电供电的开关电源，如果考虑±20%的变化范围，其较值是264V，其因是正弦波，所以峰是264 x 1.414=373.23v.

二、次级的反射电压

这个电压由变压器初级圈数和次级圈数的比值决定。根据经验，反射电压值不要大于100V（针对600V的管子和220电网电压）。如果这个值选的过大，可能会给MOS应力控制增加一些压力。另外，反射电压太高，初级线圈的吸收电阻上消耗更多的能量会增加，不利于提高电源效率。但也不要选的太小，黑龙江工控电源，不然占空比不能得到充分的利用。（因为反射电压小，意味着初级圈数和次级圈数比值较大，占空比必然会小)。占空比太小，在相同功率下，会增大初级MOS电流的峰值，电流的有效值值也会增加，开关管的导通损耗和变压器集肤效应，临近效应引起的损耗也会增加。总之，这个反射电压的选取，也是一个反复实验权衡的结果。当然，工控电源，如果效率不是我们较关注的问题，在部件（MOS，变压器）温升尚可接受的前提下，我们尽量还是照顾MOS的电应力要求。